Новые сертифицированные компоненты DDR3 SDRAM производятся по 80 нм техническому процессу. В последствии из них собираются модули небуферизованной DIMM DDR3 памяти емкостью 1 GB и 2 GB. Как и сообщалось ранее, эта память работает на частотах 800 и 1066 МГц. Тайминги модулей памяти работающих на частоте 800 МГц составляют 5-5-5 и 6-6-6, а для 1066 МГц модулей это уже 7-7-7. Рабочее напряжение питания составляет 1.5 В. По заявлению Hynix Semiconductor, их модули памяти стандарта DDR3 потребляют на 25% меньше электроэнергии, чем модули DDR2.

Массовое производство 1 GB модулей памяти стандарта DDR3 компания планирует начать в третьем квартале 2007 года, а к концу текущего года планируется перейти на 66 нм техпроцесс производства

http://techlabs.by/news/hardware/16517.html